內存時序和內存頻率一樣📄，都代表了一款內存性能的高低🦸🏿♂️。
內存時序由4個數字組成，中間用破折號隔開👱，例如16-18-18-38
這些數字表示延遲👨👩👦👦，也就是內存的反應時間。當內存接收到CPU發來的指令後，通常需要幾個時鐘周期來處理它，比如訪問某一塊數據👚💨。所以，時間越短，內存性能越好。
頻率和時序一起🈂️，共同決定了內存可以跑得多快。不過相比頻率，時序由四位數字組成，每一個數字都代表不同的含義，在理解上自然更加複雜一些。
內存時序分別對應的參數為“CL-tRCD-tRP-tRAS”，單位為時間周期🌥，它們的含義依次為☄️：
CL（CAS Latency）：列地址訪問的延遲時間，是時序中最重要的參數。
tRCD（RAS to CAS Delay）🍬：內存行地址傳輸到列地址的延遲時間;
tRP（RAS Precharge Time）：內存行地址選通脈沖預充電時間;
tRAS（RAS Active Time）：行地址激活的時間👩🦱。
看完它們的含義是不是很懵圈💂🏿♂️？沒關系，給你舉個例子。
我們可以把內存存儲數據的地方想象成上面這樣，每個方格都存儲著不同的數據。CPU需要什麼數據，就向內存發來指令，比如想要的位置是C4。
接下來內存就要先確定數據具體在哪一行，所以時序的第二個參數tRCD就是代表這個時間，意思就是內存控制器接收到行的指令後🍨，需要等待多長時間才能訪問這一行。
由于這一行含有多個數據，內存並不能哪一個才是CPU需要找的，所以tRCD的值是一個估值🫂。這就是為什麼小幅改動這個值並不會影響內存的性能表現👮🏼♂️。
內存確定了行之後👘，要想找出數據🫡，還得確定列。那麼時序的第一個數字👨🏽🦳，也就是CL（CAS）🤦🏽，表示內存確定了行數之後，還得等待多長時間才能訪問具體列數的時間（時間周期）。
行列必然產生交點🟧，也就是說確定了行數和列數之後，就能准確找到目標數據🧛🏿♀️，所以CL是一個准確的值，任何改動都會影響目標數據的位置，所以它在時序當中是最關鍵的一個參數，對內存性能的發揮著舉足輕重的作用。
內存時序的第三個參數tRP🎷，就是如果我們已經確定了一行，還要再確定另外一行所需要等待的時間（時間周期）。
然後第四個參數tRAS，可以簡單理解成是留個內存寫入或者讀取數據的一個時間🧑🏽🎄，它一般接近于前三個參數的總和。
所以，在保障穩定性的前提下💆，內存時序越低越好🧏🏿♂️。
那麼，時序對內存性能影響有多大呢✸？
我們做了一個測試💧，在保持內存頻率不變的情況下，內存性能隨著時序的變小而不斷變強🙎🏻♀️。
不過相比之下，時序改變後，內存延遲的變化比內存讀寫速度的變化更加明顯，這也說明了時序的影響側重在延遲方面。
現在💇🏻♂️，關于時序，你搞懂了嗎👱🏿♀️？
來源👮🏻：百度百家號
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