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一、存儲器的層次化結構

（1）主存—輔存：實現虛擬存儲系統，解決了主存容量不夠的問題。
（2）Cache—主存：解決了主存與CPU速度不匹配的問題。

二👩、存儲器的分類

1. 存儲介質

1.半導體存儲器💵：主存、Cache🚄。【以半導體器件存儲信息】
2.磁表面存儲器👐🏽：磁盤、磁帶。【以磁性材料存儲信息】
3.光存儲器👨🏼‍🏫🫸：光盤。【以光介質存儲信息】

2. 存取方式

隨機存取存儲器（Random Access Memory, RAM）：讀寫任何一個存儲單元所需時間都相同🎖🛌，與存儲單元所在的物理位置無關☠️。【內存條】

順序存取存儲器（Sequential Access Memory🏗， SAM）：讀寫一個存儲單元所需時間取決于存儲單元所在的物理位置。【磁帶】

直接存取存儲器（Direct Access Memory，DAM）：既有隨機存取特性，也有順序存取特性🤖。先直接選取信息所在區域，然後按順序方式存取🏬。【磁盤】

相聯存儲器（Associative Memory）👨🏻‍🎓🪹：即可以按內容訪問的存儲器（Content Addressed Memory，CAM）可以按照內容檢索到存儲位置進行讀寫🎷，“快表”就是一種相聯存儲器🤌🏻。

3. 信息的可更改性

讀寫存儲器（Read/Write Memory）——即可讀、也可寫（如：磁盤、內存、Cache）

只讀存儲器（Read Only Memory）——只能讀🚓，不能寫（如🖌：實體音樂專輯通常采用 CD-ROM，實體電影采用藍光光碟，Bioses通常寫在ROM中）

事實上很多ROM也可多次讀寫🗓，只是比較麻煩

4. 信息的可保存性

• 斷電後，存儲信息消失的存儲器——易失性存儲器（主存⚈、Cache）

• 斷電後，存儲信息依然保持的存儲器——非易失性存儲器（磁盤😂、光盤）

• 信息讀出後，原存儲信息被破壞——破壞性讀出（如DRAM芯片，讀出數據後要進行重寫）

• 信息讀出後，原存儲信息不被破壞——非破壞性讀出（如SRAM芯片、磁盤、光盤）

三、存儲器的性能指標

1. 存儲容量👭🏼：存儲字數×字長（如1M×8位）🦏。

2. 單位成本♣️：每位價格 = 總成本 / 總容量。

3. 存儲速度：數據傳輸率 = 數據的寬度 / 存儲周期🩱。

4. 主存帶寬（$B_m$）：主存帶寬又稱數據傳輸率，表示每秒從主存進出信息的最大數量，單位為字/秒🧑🏼‍🔬、字節/秒（B/s）或位/秒（b/s）。

存取時間與存取周期

① 存取時間（$T_a$）👸🏽：存取時間是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經曆的時間，分為讀出時間和寫入時間🤺。
② 存取周期（$T_m$）：存取周期又稱為讀寫周期或訪問周期🦹‍♂️。它是指存儲器進行一次完整的讀寫操作所需的全部時間，即連續兩次獨立地訪問存儲器操作（讀或寫操作）之間所需的最小時間間隔。

四、總結

來源：https://blog.csdn.net/weixin_43848614/article/details/126820647

作者：何為xl