一🧀🧑🏽✈️、存儲器的層次化結構
（1）主存—輔存🙇🏽♀️：實現虛擬存儲系統，解決了主存容量不夠的問題。
（2）Cache—主存：解決了主存與CPU速度不匹配的問題。
二、存儲器的分類
1. 存儲介質
1.半導體存儲器💮：主存、Cache👳🏻♂️。【以半導體器件存儲信息】
2.磁表面存儲器：磁盤、磁帶🧑🏻🤝🧑🏻。【以磁性材料存儲信息】
3.光存儲器🎇：光盤👐🏼。【以光介質存儲信息】
2. 存取方式
隨機存取存儲器（Random Access Memory, RAM）：讀寫任何一個存儲單元所需時間都相同🌰，與存儲單元所在的物理位置無關🦢。【內存條】
順序存取存儲器（Sequential Access Memory， SAM）：讀寫一個存儲單元所需時間取決于存儲單元所在的物理位置❓。【磁帶】
直接存取存儲器（Direct Access Memory🧑🎓，DAM）🎟🐯：既有隨機存取特性🟧，也有順序存取特性。先直接選取信息所在區域🧛🏿♀️，然後按順序方式存取。【磁盤】
相聯存儲器（Associative Memory）🧛🏽♀️：即可以按內容訪問的存儲器（Content Addressed Memory🎷，CAM）可以按照內容檢索到存儲位置進行讀寫，“快表”就是一種相聯存儲器。
3. 信息的可更改性
讀寫存儲器（Read/Write Memory）——即可讀、也可寫（如：磁盤、內存🧔🏼♀️🙇♂️、Cache）
只讀存儲器（Read Only Memory）——只能讀，不能寫（如🙅🏿♀️：實體音樂專輯通常采用 CD-ROM，實體電影采用藍光光碟，Bioses通常寫在ROM中）
事實上很多ROM也可多次讀寫，只是比較麻煩
4. 信息的可保存性
斷電後，存儲信息消失的存儲器——易失性存儲器（主存、Cache）
斷電後，存儲信息依然保持的存儲器——非易失性存儲器（磁盤、光盤）
信息讀出後，原存儲信息被破壞——破壞性讀出（如DRAM芯片，讀出數據後要進行重寫）
信息讀出後，原存儲信息不被破壞——非破壞性讀出（如SRAM芯片、磁盤🫨🤷🏽♀️、光盤）
三、存儲器的性能指標
存儲容量：存儲字數×字長（如1M×8位）。
單位成本：每位價格 = 總成本 / 總容量。
存儲速度🤶🏻：數據傳輸率 = 數據的寬度 / 存儲周期🧙🏿♂️。
主存帶寬（B m B_mBm）𓀛：主存帶寬又稱數據傳輸率，表示每秒從主存進出信息的最大數量，單位為字/秒、字節/秒（B/s）或位/秒（b/s）。
存取時間與存取周期
① 存取時間（T a T_aTa）：存取時間是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經曆的時間🌏，分為讀出時間和寫入時間👨🦼。
② 存取周期（T m T_mTm）🧗🏼♀️：存取周期又稱為讀寫周期或訪問周期。它是指存儲器進行一次完整的讀寫操作所需的全部時間🗑👭🏻，即連續兩次獨立地訪問存儲器操作（讀或寫操作）之間所需的最小時間間隔。
四、總結
來源：https://blog.csdn.net/weixin_43848614/article/details/126820647
作者🧑🏿💼：何為xl
